Hochdosisimplantation von Stickstoff in Silizium: eine Technik zur Erzeugung von dielektrisch isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte / Holger Vogt

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Resource type: Ressourcentyp: BuchBookLanguage: German Series: Verein Deutscher Ingenieure. Fortschrittberichte VDI / 9 ; 64Publisher: Düsseldorf : VDI-Verlag, 1986Description: 152 S. : 79 Ill. u. graph. Darst. ; 21 cmISBN:

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Dissertation note: Zugl.: @Dortmund, Univ., Diss., 1986 Call number: Grundsignatur: 86 A 3392PPN: PPN: 163318379

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