Hochdosisimplantation von Stickstoff in Silizium: eine Technik zur Erzeugung von dielektrisch isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte / Holger Vogt

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Resource type: Ressourcentyp: BuchBuchSprache: Deutsch Reihen: Verein Deutscher Ingenieure. Fortschrittberichte VDI / 9 ; 64Verlag: Düsseldorf : VDI-Verlag, 1986Beschreibung: 152 S. : 79 Ill. u. graph. Darst. ; 21 cmISBN:

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RVK: RVK: ZN 1700Bearbeitungsvermerk:

Hochschulschriftenvermerk: Zugl.: @Dortmund, Univ., Diss., 1986 Call number: Grundsignatur: 86 A 3392PPN: PPN: 163318379

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Magazinbestand ausleihbar	Bibliothek Campus Süd	Geschlossenes Magazin	86 A 3392	Verfügbar	23292225

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