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Ein physikalisch begründetes SOI-Transistormodell für die Schaltungssimulation / Stefan Seitz

Von: Resource type: Ressourcentyp: BuchBuchSprache: Deutsch Reihen: Verein Deutscher Ingenieure. Fortschrittberichte VDI / 9 ; 243Verlag: Düsseldorf : VDI-Verl., 1997Auflage: Als Ms. gedrBeschreibung: X, 197 S. : graph. DarstISBN:
  • 3183243091
Schlagwörter: Genre/Form: RVK: RVK: ZN 5350Bearbeitungsvermerk:
  • 2
Hochschulschriftenvermerk: Zugl.: @Diss Call number: Grundsignatur: 97 A 151PPN: PPN: 275830977
Exemplare
Medientyp Heimatbibliothek Sammlung Standort Signatur Status Fälligkeitsdatum Barcode Vormerkungen
Magazinbestand ausleihbar Bibliothek Campus Süd nach 8.22 Geschlossenes Magazin 97 A 151 Verfügbar 44505513090
Anzahl Vormerkungen: 0

Archivierung prüfen 20200919 DE-640 2 pdager

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