Nanoscale transistors : device physics, modeling and simulation / Mark S. Lundstrom; Jing Guo
Mitwirkende(r): Resource type: Ressourcentyp: BuchBuchSprache: Englisch Verlag: New York, NY : Springer, 2006Beschreibung: VI, 217 S. : Ill., graph. DarstISBN:- 0387280022
- 9780387280028
- 621.381528
- 530
- T174.7
- 3
Medientyp | Heimatbibliothek | Sammlung | Standort | Signatur | Exemplarnummer | Status | Fälligkeitsdatum | Barcode | Vormerkungen | |
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Freihandbestand ausleihbar | Bibliothek Campus Nord | nach 8.3 | Lesesaal CN | 2005 A 14191 | ;b | Verfügbar | 50829209090 | |||
Freihandbestand ausleihbar | Bibliothek Campus Süd | nach 8.3 | Lesesaal Technik (LST) | 2005 A 14191 | Verfügbar | 48616553090 |
Anzahl Vormerkungen: 0
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