Benutzerdefiniertes Cover
Benutzerdefiniertes Cover
Normale Ansicht MARC ISBD

Leistungscharakteristik und Sättigungsmechanismen von TEGFETs und MESFETs / Matthias Weiss

Von: Resource type: Ressourcentyp: BuchBuchSprache: Deutsch Reihen: Verein Deutscher Ingenieure. Fortschrittberichte VDI / 9 ; 78Verlag: Düsseldorf : VDI-Verl., 1988Beschreibung: XI, 214 S. : 61 graph. DarstISBN:
  • 3181478091
Weitere Titel:
  • Nebent.: Transistorleistungsmodell
  • Transistorleistungsmodell
Schlagwörter: Genre/Form: Bearbeitungsvermerk:
  • 2
Hochschulschriftenvermerk: Zugl.: Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss. Call number: Grundsignatur: 88 A 3648PPN: PPN: 025061488
Exemplare
Medientyp Heimatbibliothek Standort Signatur Status Fälligkeitsdatum Barcode Vormerkungen
Magazinbestand ausleihbar Bibliothek Campus Süd Geschlossenes Magazin 88 A 3648 Verfügbar 46804971090
Anzahl Vormerkungen: 0

Archivierung prüfen 20200919 DE-640 2 pdager

Powered by Koha