Benutzerdefiniertes Cover
Benutzerdefiniertes Cover
Normale Ansicht MARC-Ansicht ISBD

Die Alterung bei n-Kanal MOS-Transistoren unter dem Einfluß hochenergetischer Ladungsträger : Der "Hot-Electron"-Effekt / Thomas Giebel

Von: Resource type: Ressourcentyp: BuchBuchSprache: Deutsch Reihen: Verein Deutscher Ingenieure. Fortschrittberichte VDI / 9 ; 81Verlag: Düsseldorf : VDI-Verl., 1988Beschreibung: 115 S : graph. DarstISBN:
  • 3181481092
Weitere Titel:
  • Nebent.: Der "Hot-Electron"-Effekt
  • Der "Hot-Electron"-Effekt
Schlagwörter: Genre/Form: Bearbeitungsvermerk:
  • 2
Hochschulschriftenvermerk: Zugl.: Dortmund, Univ., Diss. Call number: Grundsignatur: 88 A 3725PPN: PPN: 025061577
Exemplare
Medientyp Heimatbibliothek Standort Signatur Status Barcode
Magazinbestand ausleihbar Bibliothek Campus Süd Geschlossenes Magazin 88 A 3725 Verfügbar 46804415090
Anzahl Vormerkungen: 0

Archivierung prüfen 20200919 DE-640 2 pdager