Leitungsmechanismen in thermisch oxidiertem Siliciumdioxid, das mit Hilfe der Ionenimplantation dotiert wird / von Dietmar Haack
Resource type: Ressourcentyp: BuchBookLanguage: German Series: Hahn-Meitner-Institut für Kernforschung. HMI-Berichte ; 280Publisher: Berlin : HMI, 1978Description: 138 S. : Ill., graph. DarstReport number: HMI B 280Genre/Form: Action note:- 2
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| Magazinbestand ausleihbar | Bibliothek Campus Nord | Geschlossenes Magazin | CN HMI-B-280 | Available | 53064474090 |
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