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Studies of growth mechanisms and imperfections in silicon crystals grown by the floating zone method / by A. Lindegaard Andersen

Von: Resource type: Ressourcentyp: GesamtaufnahmeGesamtaufnahmeSprache: Englisch Bände: Zeige BändeVerlag: Copenhagen : Polyteknisk Forl., 19XX-Hochschulschriftenvermerk: Zugl.: Kopenhagen, TH, Diss., 1967 PPN: PPN: 1116756994
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