Selektives Wachstum von Si und SiGe mittels LPCVD im Hinblick auf vertikale MOSFET-Anwendungen / Rogér Loo. [Forschungszentrum Jülich GmbH, KFA, Institut für Schicht- und Ionentechnik]
Resource type: Ressourcentyp: BuchBuchSprache: Deutsch Reihen: Forschungszentrum Jülich. Berichte des Forschungszentrums Jülich ; 3328Verlag: Jülich : Forschungszentrum, Zentralbibliothek, 1996Beschreibung: X, 172 Seiten : Illustrationen, Diagramme ; 30 cmReportnummer: Jül-3328Schlagwörter: Genre/Form:
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| Medientyp | Heimatbibliothek | Standort | Signatur | Status | Fälligkeitsdatum | Barcode | Vormerkungen | |
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