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Selektives Wachstum von Si und SiGe mittels LPCVD im Hinblick auf vertikale MOSFET-Anwendungen / Rogér Loo. [Forschungszentrum Jülich GmbH, KFA, Institut für Schicht- und Ionentechnik]

Von: Resource type: Ressourcentyp: BuchBuchSprache: Deutsch Reihen: Forschungszentrum Jülich. Berichte des Forschungszentrums Jülich ; 3328Verlag: Jülich : Forschungszentrum, Zentralbibliothek, 1996Beschreibung: X, 172 Seiten : Illustrationen, Diagramme ; 30 cmReportnummer: Jül-3328Schlagwörter: Genre/Form:
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Hochschulschriftenvermerk: Dissertation - Technische Hochschule Aachen, 1996 Call number: Grundsignatur: CN JUEL-3328PPN: PPN: 1128454165
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Magazinbestand ausleihbar Bibliothek Campus Nord Geschlossenes Magazin CN JUEL-3328 Verfügbar 51820430090
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