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Ein Beitrag zum statischen und dynamischen Verhalten von Mos-Feldeffekttransistoren / Georg Baum

Von: Resource type: Ressourcentyp: BuchBuchSprache: Deutsch Verlag: 1969Beschreibung: VII, 111 SSchlagwörter: Genre/Form: Bearbeitungsvermerk:
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Hochschulschriftenvermerk: Aachen, TH, Diss., 1969 Call number: Grundsignatur: 69 DA 1250PPN: PPN: 1130455963
Exemplare
Medientyp Heimatbibliothek Standort Signatur Status Barcode
Magazinbestand ausleihbar Bibliothek Campus Süd Geschlossenes Magazin 69 DA 1250 Verfügbar 25176806
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